STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 10 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, STS10N3LH5
- RS品番:
- 719-621
- メーカー型番:
- STS10N3LH5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 719-621
- メーカー型番:
- STS10N3LH5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | STS | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.021Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 22V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ STS | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.021Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 22V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.6nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.75mm | ||
STMicroelectronics STripFETTMVパワーMOSFETテクノロジーは、クラス最高のFOMの1つである非常に低いオンステート抵抗を実現するために特別にカスタマイズされた最新の改良の一つです。
極めて低いオン抵抗RDS(オン)
非常に低いスイッチングゲート充電
高いアバランシェ耐久性
低ゲートドライブ電力損失
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