STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 30 V, 10 A エンハンスメント型, 表面実装, 8-Pin パッケージSO-8, STS10N3LH5
- RS品番:
- 719-621
- メーカー型番:
- STS10N3LH5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 719-621
- メーカー型番:
- STS10N3LH5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SO-8 | |
| シリーズ | STS | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.021Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±22 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 4.6nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.75mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SO-8 | ||
シリーズ STS | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.021Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±22 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 4.6nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
幅 4 mm | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.75mm | ||