STMicroelectronics パワーMOSFET, Nチャンネル, 100 V, 60 A, 0.0195 Ω, 85 nC, 2ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | STP | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0195Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 85nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 長さ | 6.2mm | |
| 幅 | 6.6mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ STP | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0195Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.4mm | ||
長さ 6.2mm | ||
幅 6.6mm | ||
STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFETテクノロジーは、オンステート抵抗を最小限に抑えるために特別にカスタマイズされた最新の改良の一つで、新しいゲート構造で優れたスイッチング性能を発揮します。
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極めて低いオン抵抗RDS(オン)
100% アバランシェ試験済み
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