STMicroelectronics パワーMOSFET, Nチャンネル, 100 V, 60 A, 0.0195 Ω, 85 nC, 2ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | STP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0195Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.2mm | |
| 幅 | 6.6mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ STP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0195Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.2mm | ||
幅 6.6mm | ||
高さ 2.4mm | ||
STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFETテクノロジーは、オンステート抵抗を最小限に抑えるために特別にカスタマイズされた最新の改良の一つで、新しいゲート構造で優れたスイッチング性能を発揮します。
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