STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, STD70N10F4

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RS品番:
719-650
メーカー型番:
STD70N10F4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

STP

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面実装

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0195Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

幅

6.6 mm

長さ

6.2mm

高さ

2.4mm

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