STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, STD70N10F4
- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 24 | ￥135 |
| 25 - 99 | ￥121 |
| 100 - 499 | ￥109 |
| 500 - 999 | ￥86 |
| 1000 + | ￥84 |
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- RS品番:
- 719-650
- メーカー型番:
- STD70N10F4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 60A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| シリーズ | STP | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 2 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0195Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | ±20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 長さ | 6.2mm | |
| 幅 | 6.6 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 60A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
シリーズ STP | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 2 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0195Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
高さ 2.4mm | ||
長さ 6.2mm | ||
幅 6.6 mm | ||