STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 60 A エンハンスメント型, 表面実装, 2-Pin パッケージTO-252, STD70N10F4

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RS品番:
719-650
メーカー型番:
STD70N10F4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

60A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

STP

取付タイプ

表面実装

ピン数

2

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0195Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

85nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.2mm

高さ

2.4mm

STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFETテクノロジーは、オンステート抵抗を最小限に抑えるために特別にカスタマイズされた最新の改良の一つで、新しいゲート構造で優れたスイッチング性能を発揮します。

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