STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 80 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, STD80N4F6

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計:*

¥2,336.00

(税抜)

¥2,569.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年9月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
10 - 140¥233.60¥2,336
150 - 1190¥230.20¥2,302
1200 - 1590¥226.90¥2,269
1600 - 1990¥223.30¥2,233
2000 +¥219.80¥2,198

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
791-9308
メーカー型番:
STD80N4F6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

80A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

DeepGate, STripFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

70W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

36nC

動作温度 Max

175°C

長さ

6.6mm

規格 / 承認

No

高さ

2.4mm

自動車規格

AEC-Q101

NチャンネルSTripFET™ DeepGate™、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ