Vishay MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 417 A, 0.0014 Ω, 131 nC, 8ピン, パッケージ:PowerPAK 10 x 12

N
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥1,221.00

(税抜)

¥1,343.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2027年10月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1 - 9¥1,221
10 - 49¥849
50 - 99¥663
100 +¥478

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
735-161
メーカー型番:
SIJK5100E-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

417A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SiK

パッケージ型式

PowerPAK 10 x 12

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0014Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

131nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

100V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

536W

動作温度 Max

175°C

10mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

12mm

高さ

4mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
DE
Vishay NチャンネルMOSFETは、ドレインソース電圧60 V定格で、AIパワーサーバーDC/DCコンバータおよび同期整流回路での高効率スイッチング向けに最適化されています。10 Vゲートドライブで最大1.7 mΩの非常に低いオン抵抗を実現し、高電流用途での伝導損失を最小限に抑制

連続ドレイン電流: 94 A @ TA = 25 °C

54.3 nCの標準的な総ゲート電荷量で高速スイッチングを実現

-55°C~+175°Cのジャンクション温度範囲を拡張

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。