Infineon パワーMOSFET, Nチャンネル, 25 V, 52 A, 38 mΩ, 41 nC, 4ピン, パッケージ:TO-247-4

この画像は商品カテゴリーのイメージです。

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1個小計:*

¥2,261.00

(税抜)

¥2,487.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 224 2026年9月17日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
1 - 9¥2,261
10 - 49¥1,831
50 - 99¥1,403
100 +¥1,123

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
762-927
メーカー型番:
IMZC140R038M2HXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

52A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

TO-247-4

シリーズ

CoolSiC

取付タイプ

スルーホール

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

38mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

最大許容損失Pd

242W

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

動作温度 Max

175°C

16mm

高さ

5.1mm

規格 / 承認

RoHS

長さ

23.5mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN
Infineon CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2は、.XT相互接続技術を採用したシリコンカーバイドMOSFETです。クラス最高の熱性能を発揮する.XT相互接続技術と、ハードコミュニティ用の堅牢なボディダイオードを採用しています。

高温動作

ハードコミュニケーションに最適

信頼性の高い熱管理

性能向上

効率の向上

最適化されたゲートドライブ

パワーエレクトロニクスに最適

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。