onsemi シングルMOSFET, Nチャンネル, 25 V, 0.22 A, 9 Ω, 0.49 nC, 3ピン, パッケージ:SOT-23-3

N
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梱包形態
RS品番:
765-307
メーカー型番:
FDV301N
メーカー/ブランド名:
onsemi
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ブランド

onsemi

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

シングルMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

0.22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

パッケージ型式

SOT-23-3

シリーズ

FDV3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8V

最大許容損失Pd

0.35W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

0.49nC

動作温度 Max

150°C

長さ

2.9mm

高さ

1mm

1.3mm

自動車規格

なし

onsemi Nチャンネルロジックレベル強化モードフィールド効果トランジスタは、低電圧用途向けに設計されています。この先進的なデバイスは、独自のG S DMOS技術を活用してオンステート抵抗を最小限に抑え、複数のデジタルトランジスタの交換に最適です。バイアス抵抗器の必要性を排除し、さまざまなデジタル用途に単一のFETソリューションを提供することで回路設計を効率化し、最終的に電子機器の効率と信頼性を向上させます。

0.22 Aの連続ドレイン電流と0.5 Aのピークをサポート

4.5 Vでわずか4 Ωの低R DS(on)を備え、効率的な電力処理を実現

3 V回路で直接動作するように設計されており、低電圧システムへのシームレスな統合が可能

複数のNPNデジタルトランジスタの交換が可能で、設計におけるコンポーネント数を簡素化

鉛フリーおよびハライドフリー規格に準拠し、環境に配慮した設計をサポート

357 °C/Wの熱抵抗により、さまざまな温度条件下で信頼性の高い性能を発揮

最大ドレインソース定格電圧25 Vで、さまざまな用途で堅牢な機能を発揮

ゲートしきい値電圧範囲により、動作スペクトル全体で安定した性能を発揮

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