STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 1200 V, 6 A 強化モード, スルーホール, 3-Pin パッケージH2PAK-2, STH8N120K5-2AG
- RS品番:
- 800-461
- メーカー型番:
- STH8N120K5-2AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 800-461
- メーカー型番:
- STH8N120K5-2AG
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N チャネル | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| シリーズ | STH285N10F8-6AG | |
| パッケージ型式 | H2PAK-2 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.65mΩ | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 165W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | ECOPACK | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 高さ | 15.8mm | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N チャネル | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
シリーズ STH285N10F8-6AG | ||
パッケージ型式 H2PAK-2 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.65mΩ | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 165W | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 14.4nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 ECOPACK | ||
幅 4.7mm | ||
高さ 15.8mm | ||
長さ 10.4mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsの高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づいたMDmesh K5技術を使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、オン抵抗と超低ゲート充電が劇的に削減されます。
AEC-Q101適合
業界最低のRDS(on)x面積
業界最高のFoM（フィギュア・オブ・メリット）
超低ゲートチャージ
100% アバランシェ試験済み
ツェナー保護
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