STMicroelectronics パワーMOSFET, N チャネルチャンネル 100 V, 292 A 強化モード, スルーホール, 3-Pin パッケージH2PAK, STH285N10F8-6AG

N

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RS品番:
800-460
メーカー型番:
STH285N10F8-6AG
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N チャネル

最大連続ドレイン電流Id

292A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

H2PAK

シリーズ

STH285N10F8-6AG

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.9mΩ

チャンネルモード

強化モード

最大許容損失Pd

341W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

177nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

4V

動作温度 Max

175°C

4.7mm

長さ

10.4mm

高さ

15.8mm

規格 / 承認

ECOPACK

自動車規格

AEC-Q101

COO(原産国):
CN
STMicroelectronics 100 V Nチャンネル強化モードのパワーMOSFETは、強化されたトレンチゲート構造を備えたSTripFET F8技術で設計されています。

AEC-Q101適合

最大動作ジャンクション温度 175℃

100% アバランシェ試験済み

優れた FoM (メリットの数値)

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