Vishay シングルMOSFET, Nチャンネル, 60 V, 268 A, 0.00182 Ω, 91 nC, 8ピン, パッケージ：P
- RS品番:
- 829-352
- メーカー型番:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
N
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|---|---|
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| 10 - 24 | ￥299 |
| 25 - 99 | ￥178 |
| 100 - 499 | ￥173 |
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- RS品番:
- 829-352
- メーカー型番:
- SQJ160ELP-T1_GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | シングルMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 268A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | P | |
| シリーズ | SQJ | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.00182Ω | |
| チャンネルモード | 強化モード | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 245W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 91nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 6.15mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS Compliant | |
| 幅 | 4.9mm | |
| 高さ | 1.04mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ シングルMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 268A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 P | ||
シリーズ SQJ | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.00182Ω | ||
チャンネルモード 強化モード | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 245W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 91nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 6.15mm | ||
規格 / 承認 RoHS Compliant | ||
幅 4.9mm | ||
高さ 1.04mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- GB
Vishayの高性能NチャンネルMOSFETは、自動車用途向けに設計されており、過酷な環境でも信頼性と効率性を確保します。
TrenchFET技術により、性能を向上し、エネルギー損失を低減
AEC-Q101認定により、車載用途に適合
幅広いRおよびUISテストにより、堅牢な機能を保証
最大連続ドレイン電流268 Aの高電流性能向けに設計
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