STMicroelectronics パワーMOSFET, Nチャンネル, 強化モード, 80 V, 181 A, 2.3 mΩ, 85 nC, 8ピン, パッケージ:PowerFLAT
- RS品番:
- 898-600
- メーカー型番:
- STL180N8F8
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
N
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- RS品番:
- 898-600
- メーカー型番:
- STL180N8F8
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 181A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| シリーズ | STL | |
| パッケージ型式 | PowerFLAT | |
| 取付タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.3mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 85nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| トランジスタ構成 | 強化モード | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | ECOPACK2 | |
| 幅 | 5mm | |
| 長さ | 5.8mm | |
| 高さ | 1mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 181A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
シリーズ STL | ||
パッケージ型式 PowerFLAT | ||
取付タイプ 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.3mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 85nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
トランジスタ構成 強化モード | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 ECOPACK2 | ||
幅 5mm | ||
長さ 5.8mm | ||
高さ 1mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronics Nチャンネル強化モードパワーMOSFETは、STripFET F8技術で設計されており、強化されたトレンチゲート構造を備えています。非常に低いオン状態抵抗で最先端のメリットを実現し、内部静電容量とゲート電荷を低減し、より高速かつ効率的なスイッチングを実現します。
MSL1 グレード
100% アバランシェ試験済み
低ゲート充電
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