型番

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 170 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

RS品番:: 103-2944
メーカー型番:: BSS123LT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 170 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

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15000 - 27000	￥8.97	￥26,910
30000 - 72000	￥8.742	￥26,226
75000 - 147000	￥8.527	￥25,581
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RS品番:: 103-2944
メーカー型番:: BSS123LT1G
メーカー/ブランド名:: onsemi

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	170mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	100V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	PowerTrench
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	6Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	160nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	最大許容損失Pd	225mW
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.3 mm
	高さ	0.94mm
	長さ	2.9mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 170mA
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ PowerTrench
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 160nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	最大許容損失Pd 225mW
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.3 mm
	高さ 0.94mm
	長さ 2.9mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

RoHSステータス: 対象外

COO（原産国）:: CZ

onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 170 mA エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23

3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルパワーMOSFET、100 V → 1700 V、ON Semiconductor

MOSFETトランジスタ、ON Semiconductor

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