Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 84 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IPB117N20NFDATMA1

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梱包形態
RS品番:
110-7458
メーカー型番:
IPB117N20NFDATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

84A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS FD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

65nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Max

170°C

長さ

10.31mm

幅

9.45 mm

高さ

4.57mm

規格 / 承認

IEC61249-2-21, JEDEC, Pb-free lead plating, RoHS

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

Infineon OptiMOS™FDパワーMOSFET


MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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