Infineon MOSFET, タイプNチャンネル, 180 A エンハンスメント型 パッケージTO-263, IPB180N06S4H1ATMA2
- RS品番:
- 260-5120
- メーカー型番:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 260-5120
- メーカー型番:
- IPB180N06S4H1ATMA2
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 180A | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | iPB | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 180A | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ iPB | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon NチャンネルoptiMOSパワーMOSFETは、優れたゲート充電を実現します。最大の電流容量を備えています。このNチャンネルMOSFETトランジスタは、強化モードで動作します。
Nチャンネル強化モード
MSL1: 最大260 °Cピークリフロー
100 %アバランシェテスト済み
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