STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB18N60DM2

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梱包形態
RS品番:
111-6459
メーカー型番:
STB18N60DM2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

MDmesh DM2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

290mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

90W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

9.35mm

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

NチャンネルMDmesh DM2シリーズ、STMicroelectronics


MDmesh DM2 MOSFETは、RDS(on)が低く、ダイオード逆回復時間が短くなったため効率が高くなっています。このシリーズは、フルブリッジ位相シフトZVSトポロジに合わせて最適化されています。

優れたdV/dt機能でシステムの信頼性を向上

AEC-Q101認定

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


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