型番

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB24NM60N

RS品番:: 760-9499
メーカー型番:: STB24NM60N
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB24NM60N

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RS品番:: 760-9499
メーカー型番:: STB24NM60N
メーカー/ブランド名:: STMicroelectronics

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	STMicroelectronics
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	17A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	MDmesh
	パッケージ型式	TO-263
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	190mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	1.6V
	最大許容損失Pd	125W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	46nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	動作温度 Max	150°C
	幅	10.4 mm
	長さ	10.75mm
	高さ	4.6mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド STMicroelectronics
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 17A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ MDmesh
	パッケージ型式 TO-263
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 190mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 1.6V
	最大許容損失Pd 125W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 46nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	動作温度 Max 150°C
	幅 10.4 mm
	長さ 10.75mm
	高さ 4.6mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 17 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB24NM60N

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NチャンネルMDmesh™、600 V / 650 V、STMicroelectronics

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics

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