DiodesZetex パワーMOSFET, タイプNチャンネル, 分離式, 30 V, 7.5 A, 22 mΩ, 8.56 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 122-0209
- メーカー型番:
- DMG4800LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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- RS品番:
- 122-0209
- メーカー型番:
- DMG4800LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 22mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 8.56nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.72V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 4.95mm | |
| 規格 / 承認 | UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 7.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 22mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 1.5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 8.56nC | ||
順方向電圧 Vf 0.72V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 4.95mm | ||
規格 / 承認 UL 94V-0, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020, MIL-STD-202 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
デュアルNチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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