2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 122-0202
- メーカー型番:
- DMC3021LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
ボリュームディスカウント対象商品
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¥75,240.00
(税抜)
¥82,765.00
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ¥30.096 | ¥75,240 |
| 12500 - 22500 | ¥29.528 | ¥73,820 |
| 25000 - 60000 | ¥29.428 | ¥73,570 |
| 62500 - 122500 | ¥29.326 | ¥73,315 |
| 125000 + | ¥29.226 | ¥73,065 |
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- RS品番:
- 122-0202
- メーカー型番:
- DMC3021LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 53mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 幅 | 3.95 mm | |
| 長さ | 4.95mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 53mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.8nC | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
幅 3.95 mm | ||
長さ 4.95mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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