onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 76 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 124-1458
- メーカー型番:
- FCH041N60F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 本(1本30個入り) 小計：*
￥32,937.99
(税抜)
￥36,231.78
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 420 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | ￥1,097.933 | ￥32,938 |
| 150 - 270 | ￥1,076.30 | ￥32,289 |
| 300 - 720 | ￥1,054.667 | ￥31,640 |
| 750 - 1470 | ￥1,033.033 | ￥30,991 |
| 1500 + | ￥1,012.733 | ￥30,382 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 124-1458
- メーカー型番:
- FCH041N60F
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 76A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | SuperFET II | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 41mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 277nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 595W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 高さ | 20.82mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 76A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ SuperFET II | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 41mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 277nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 595W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 15.87mm | ||
幅 4.82 mm | ||
高さ 20.82mm | ||
自動車規格 なし | ||
SuperFET® / SuperFET® II Nチャンネル MOSFET、Fairchild Semiconductor
Fairchildは、スーパージャンクション技術を採用したSuperFET® II高電圧パワーMOSFETファミリを追加しました。 この製品は、高い電力密度、システム効率、信頼性を必要とするサーバー、通信、産業用電源、UPS/ESS、太陽光インバータ、照明用途などのAC-DCスイッチモード電源(SMPS)で使用されるクラス最高の堅牢なボディダイオードの性能を発揮します。
高度な電荷量バランス技術を採用しているので、基板上で占有するスペースが小さく、信頼性が向上するため、より効率的で、コスト効果が高く、高性能なソリューションを達成できます。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。