onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 57 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247
- RS品番:
- 230-9086
- メーカー型番:
- NTHL041N60S5H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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|---|---|---|
| 450 - 450 | ¥924.149 | ¥415,867 |
| 900 - 4050 | ¥914.404 | ¥411,482 |
| 4500 - 6300 | ¥904.662 | ¥407,098 |
| 6750 - 8550 | ¥894.92 | ¥402,714 |
| 9000 + | ¥885.178 | ¥398,330 |
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- RS品番:
- 230-9086
- メーカー型番:
- NTHL041N60S5H
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 57A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| シリーズ | SUPERFET V | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 41mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 108nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 329W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | Pb-Free, RoHS | |
| 高さ | 41.07mm | |
| 長さ | 15.87mm | |
| 幅 | 4.82 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 57A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
シリーズ SUPERFET V | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 41mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 108nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 329W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 Pb-Free, RoHS | ||
高さ 41.07mm | ||
長さ 15.87mm | ||
幅 4.82 mm | ||
自動車規格 なし | ||
ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、導電損失とスイッチング損失を低減して設計を利点にし、 120 V/ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格をサポートします。この結果、 SUPERFET V MOSFET FAST シリーズを使用すれば、システム効率と電力密度を最大限に高めることができます。
ON Semiconductor シリーズ SUPERFET V MOSFET は、 ON Semiconductor の第 5 世代高電圧スーパージャンクション( SJ ) MOSFET ファミリです。SUPERFET V は、クラス最高の CFM ( RDS ( ON ) · QG 及び RDS ( ON ) · eOSS )を使用して、重負荷だけでなく軽負荷効率も向上します。600 V SUPERET V シリーズは、導電損失とスイッチング損失を低減して設計を利点にし、 120 V/ns の超高 MOSFET DVD/dt 定格をサポートします。この結果、 SUPERFET V MOSFET FAST シリーズを使用すれば、システム効率と電力密度を最大限に高めることができます。
100 % アバランシェテスト済み
RoHS対応
標準 RDS ( on ) = 32.8 m Ω
内部ゲート抵抗: 0.6 Ω
超低ゲート電荷(標準) QG = 108 nC )
100 % アバランシェテスト済み
RoHS対応
標準 RDS ( on ) = 32.8 m Ω
内部ゲート抵抗: 0.6 Ω
超低ゲート電荷(標準) QG = 108 nC )
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