onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 10.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLP
- RS品番:
- 124-1701
- メーカー型番:
- FDMS5672
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 124-1701
- メーカー型番:
- FDMS5672
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | UltraFET | |
| パッケージ型式 | MLP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 32nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 0.75mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 6 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ UltraFET | ||
パッケージ型式 MLP | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 32nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 0.75mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
幅 6 mm | ||
自動車規格 なし | ||
UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。