onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 130 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージWDFN, FDMS86350

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥1,434.00

(税抜)

￥1,577.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,698 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 58￥717.00￥1,434
60 - 598￥626.00￥1,252
600 - 1198￥538.00￥1,076
1200 - 2398￥447.50￥895
2400 +￥358.50￥717

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
864-8483
メーカー型番:
FDMS86350
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

130A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

80V

シリーズ

PowerTrench

パッケージ型式

WDFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

156W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

順方向電圧 Vf

1.2V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

幅

6.25 mm

長さ

5.1mm

規格 / 承認

No

高さ

1.05mm

自動車規格

なし

PowerTrench® NチャンネルMOSFET、60 A超、Fairchild Semiconductor


MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ