onsemi MOSFET, タイプPチャンネル 12 V, 2.6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23
- RS品番:
- 124-1702
- メーカー型番:
- FDN306P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
ボリュームディスカウント対象商品
1 リール(1リール3000個入り) 小計：*
￥59,994.00
(税抜)
￥65,994.00
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫限り
- 15,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | ￥19.998 | ￥59,994 |
| 15000 - 27000 | ￥19.981 | ￥59,943 |
| 30000 - 72000 | ￥19.962 | ￥59,886 |
| 75000 - 147000 | ￥19.945 | ￥59,835 |
| 150000 + | ￥19.918 | ￥59,754 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 124-1702
- メーカー型番:
- FDN306P
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 12V | |
| シリーズ | PowerTrench | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 40mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 8 V | |
| 最大許容損失Pd | 500mW | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 1.4 mm | |
| 長さ | 2.92mm | |
| 高さ | 0.94mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V | ||
シリーズ PowerTrench | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 40mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 8 V | ||
最大許容損失Pd 500mW | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 1.4 mm | ||
長さ 2.92mm | ||
高さ 0.94mm | ||
自動車規格 なし | ||
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor
PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。
最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。
PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>（ 250 V ）<タイプと低電圧（ 250 V ）タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。