Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 124-8742
- メーカー型番:
- IPD031N06L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 5000 - 22500 | ¥152.266 | ¥380,665 |
| 25000 - 35000 | ¥149.994 | ¥374,985 |
| 37500 - 47500 | ¥147.721 | ¥369,303 |
| 50000 + | ¥145.449 | ¥363,623 |
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- RS品番:
- 124-8742
- メーカー型番:
- IPD031N06L3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 100A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | OptiMOS 3 | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.2mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 59nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 167W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.413mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 100A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ OptiMOS 3 | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.2mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 59nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 167W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.413mm | ||
自動車規格 なし | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO(原産国):
- CN
Infineon OptiMOS ™ 3 パワー MOSFET 、 60 ~ 80V
OptiMOS ™製品は、最も過酷な用途に応える高性能パッケージで提供されており、限られたスペースで最大限の柔軟性を発揮します。これらのInfineon製品は、コンピューティングアプリケーションにおける先進的な次世代の厳しい電圧調整規格のエネルギー効率と電力密度の要件を満たし、そして、上回るように設計されています。
SMPS 用の高速スイッチング MOSFET
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超低オン抵抗 R DS(on)
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MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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