DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 68.8 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージTO-252, DMT10H010LK3-13

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋10個入り) 小計：*

￥1,088.00

(税抜)

￥1,196.80

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
10 - 140￥108.80￥1,088
150 - 1190￥107.20￥1,072
1200 - 1590￥105.60￥1,056
1600 - 1990￥104.00￥1,040
2000 +￥102.40￥1,024

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
133-3314
メーカー型番:
DMT10H010LK3-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

68.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

DMT

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

11.3mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

53.7nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

62.5W

動作温度 Max

175°C

長さ

6.58mm

高さ

2.29mm

規格 / 承認

No

幅

6.1 mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、100 → 950V、Diodes Inc


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ