Toshiba MOSFET, Pチャンネル, 6 A, 表面実装, 3 ピン, SSM3J332R,LF(T
- RS品番:
- 144-5252
- メーカー型番:
- SSM3J332R,LF(T
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
取扱終了
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- RS品番:
- 144-5252
- メーカー型番:
- SSM3J332R,LF(T
- メーカー/ブランド名:
- Toshiba
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Toshiba | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 30 V | |
| パッケージタイプ | SOT-23F | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 144 mΩ | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 1.2V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.5V | |
| 最大パワー消費 | 2 W | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | +12 V | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 8.2 nC @ -4.5 V nC | |
| 長さ | 2.9mm | |
| 幅 | 1.8mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 高さ | 0.8mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Toshiba | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 30 V | ||
パッケージタイプ SOT-23F | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 144 mΩ | ||
最大ゲートしきい値電圧 1.2V | ||
最低ゲートしきい値電圧 0.5V | ||
最大パワー消費 2 W | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 +12 V | ||
トランジスタ素材 Si | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 8.2 nC @ -4.5 V nC | ||
長さ 2.9mm | ||
幅 1.8mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
高さ 0.8mm | ||
MOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝
MOSFETトランジスタ、東芝