onsemi MOSFET, Nチャンネル, シングル, 400 V, 6 A, 1 Ω, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 145-4311
- メーカー型番:
- FQP6N40C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
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- RS品番:
- 145-4311
- メーカー型番:
- FQP6N40C
- メーカー/ブランド名:
- onsemi
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | onsemi | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 400 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 1 Ω | |
| ピン数 | 3 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -30 V, +30 V | |
| 動作温度 (Max) | +150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 73 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| シリーズ | QFET | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド onsemi | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 400 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 1 Ω | ||
ピン数 3 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -30 V, +30 V | ||
動作温度 (Max) +150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 73 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ スルーホール | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
シリーズ QFET | ||
QFET® N-Channel MOSFET, 6A to 10.9A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor’s new QFET® Planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using Advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing Planar MOSFET devices.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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