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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	onsemi
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	3.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	200V
	パッケージ型式	TO-220F
	シリーズ	QFET
	取付タイプ	スルーホール, スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.4Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	10nC
	順方向電圧 Vf	5V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	38W
	トランジスタ構成	シングル
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	高さ	16.07mm
	長さ	10.36mm
	1チップ当たりのエレメント数	1
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド onsemi
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプP
	最大連続ドレイン電流Id 3.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 200V
	パッケージ型式 TO-220F
	シリーズ QFET
	取付タイプスルーホール, スルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC
	順方向電圧 Vf 5V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 38W
	トランジスタ構成シングル
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	高さ 16.07mm
	長さ 10.36mm
	1チップ当たりのエレメント数 1
	自動車規格なし

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

FairFairchild Semiconductorの新しいQFET®プラナーMOSFETは、高度な独自技術を採用し、電源、PFC (パワーファクタ補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、照明バラスト、モーション制御など、幅広い用途に最高の動作性能を発揮します。

オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでスイッチング時の損失を低減します。Fairchildは、Advanced QFET®プロセス技術を使用することで、競合するプラナールMOSFETデバイスよりも優れたメリット数値(FOM)を提供できます。

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

ONセミMOSFETは、電圧スパイクやオーバーショットの低減、ジャンクション静電容量の低減、逆回復電荷の低減、システムを長時間動作させるための追加の外部コンポーネントの排除など、優れた設計信頼性を実現します。

1 onsemi MOSFET シングル, タイプP, タイプPチャンネル, 3.4 A, スルーホール, スルーホール 200 V, 3-Pin エンハンスメント型, FQPF5P20 パッケージTO-220F

Fairchild Semiconductor QFET® PチャンネルMOSFET

MOSFET トランジスタ、 ON Semi

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