IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 26 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-3P

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本30個入り) 小計：*

￥25,440.00

(税抜)

￥27,984.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 150 は 2026年3月18日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
1チューブあたりの価格*
30 - 120￥848.00￥25,440
150 - 270￥831.10￥24,933
300 - 720￥814.20￥24,426
750 - 1470￥798.333￥23,950
1500 +￥782.00￥23,460

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
146-1754
メーカー型番:
IXFQ26N50P3
メーカー/ブランド名:
IXYS
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

IXYS

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

26A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-3P

シリーズ

HiperFET, Polar3

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

240mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

最大許容損失Pd

500W

順方向電圧 Vf

1.4V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

20.3mm

長さ

15.8mm

幅

4.9 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
US

NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Polar3™シリーズ


IXYS Polar3™シリーズのNチャンネルパワーMOSFET (高速固有ダイオード搭載) (HiPerFET™)

MOSFETトランジスタ、IXYS


IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


関連ページ