IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 170 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN170N65X2

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS)は、エネルギー効率、電力管理、運輸、医療、モータ制御などの用途向けのパワー半導体や集積回路(IC)のグローバルメーカーで、Ultra-JunctionパワーMOSFET製品ラインの拡張版である650 V X2クラスパワーMOSFET (高速ボディダイオード内蔵)を発表しています。オン抵抗が17 mΩと低く、定格電流範囲が22～150 Aのこのデバイスは、ソフトスイッチング共振モードの電力変換用途に最適化されています。MOSFETの固有の高速ボディダイオードHiPerFET™は、非常にソフトな回復特性を示し、特にハーフ又はフルブリッジスイッチングトポロジでの電磁干渉(EMI)を最小限に抑えます。逆回復電荷 / 時間が小さいボディダイオードにより、高速スイッチング中にエネルギーをすべて除去し、機器が故障しないようにして効率を高めることができます。IXYSの他のUltra-Junction MOSFETと同様に、この新しいデバイスは、電荷補償方式及び独自のプロセス技術を使用して開発されているため、オン抵抗とゲート電荷量を大幅に抑えたパワーMOSFETとなっています。また、優れたdv/dt性能も示し、同様のアバランシェ定格となっています。オン抵抗の正の温度係数により、高電流要件に適合する並列動作が可能です。適合する用途には、共振モード電源、高輝度放電(HID)ランプバラスト、AC / DCモータドライブ、DC-DCコンバータ、ロボット / サーボ制御、バッテリ充電器、3レベルソーラーインバータ、LED照明などがあります。この新しい650 V X2パワーMOSFET (HiPerFET™ボディダイオード内蔵)には、TO-220、TO-263、SOT-227、TO-247、PLUS247、TO-264、PLUS264といった国際標準サイズのパッケージが揃っています。品番には、IXFA22N65X2、IXFH46N65X2、IXFK120N65X2、IXFN150N65X2などがあり、ドレイン定格電流がそれぞれ22 A、34 A、120 A、145 Aとなっています。

低RDS(ON)及びQg