IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 145 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN150N65X2

RS品番:: 146-4239
メーカー型番:: IXFN150N65X2
メーカー/ブランド名:: IXYS

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 145 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN150N65X2

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	IXYS
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	145A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	650V
	シリーズ	HiperFET
	パッケージ型式	SOT-227
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	17mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	30 V
	最大許容損失Pd	1.04kW
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	335nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.4V
	動作温度 Max	150°C
	幅	25.07 mm
	長さ	38.23mm
	高さ	9.6mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

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	ブランド IXYS
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 145A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V
	シリーズ HiperFET
	パッケージ型式 SOT-227
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 17mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 30 V
	最大許容損失Pd 1.04kW
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 335nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.4V
	動作温度 Max 150°C
	幅 25.07 mm
	長さ 38.23mm
	高さ 9.6mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

IXYS MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 145 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージSOT-227, IXFN150N65X2

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