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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	26A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	80V
	シリーズ	BUK9M3580E
	パッケージ型式	LFPAK
	取付タイプ	表面
	ピン数	4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	88mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13.5nC
	最大許容損失Pd	62W
	最大ゲートソース電圧Vgs	15 V
	動作温度 Min	-55°C
	動作温度 Max	175°C
	長さ	3.4mm
	規格 / 承認	No
	幅	2.6 mm
	高さ	0.9mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 26A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V
	シリーズ BUK9M3580E
	パッケージ型式 LFPAK
	取付タイプ表面
	ピン数 4
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 88mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.5nC
	最大許容損失Pd 62W
	最大ゲートソース電圧Vgs 15 V
	動作温度 Min -55°C
	動作温度 Max 175°C
	長さ 3.4mm
	規格 / 承認 No
	幅 2.6 mm
	高さ 0.9mm
	自動車規格 AEC-Q101

LFPAK33パッケージ入りのNチャネル80 V、35 mΩロジックレベルMOSFET: TrenchMOSテクノロジ採用の、標準レベルNチャネルMOSFETで、LFPAK33 (Power33)パッケージ入りです。AEC Q101規格向けに設計され、認定されており、高い性能が求められる車載用途で使用できます。

Q101準拠

反復アバランシェ定格あり

定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適

175 °Cで0.5 Vを上回るVGS(th)定格を誇る、高性能のロジックレベルゲートです。

12 V、24 V、48 Vの車載システム

モータ、ランプ、ソレノイドの制御

変速制御

超高性能パワースイッチング

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 26 A エンハンスメント型, 表面, 4-Pin パッケージLFPAK

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