Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 3.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, PMV50ENEAR

RS品番:: 153-0664
メーカー型番:: PMV50ENEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 3.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, PMV50ENEAR

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥1,171.00

￥1,288.00

￥3,000円を超える注文については、送料無料

一時的に在庫切れ

本日発注の場合は 2026年7月06日に入荷予定

「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

個	単価	購入単位毎合計*
25 +	￥46.84	￥1,171

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:: 153-0664
メーカー型番:: PMV50ENEAR
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	3.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	69mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	6nC
	最大許容損失Pd	3.9W
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3mm
	高さ	1mm
	規格 / 承認	No
	幅	1.4 mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 3.9A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 69mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6nC
	最大許容損失Pd 3.9W
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3mm
	高さ 1mm
	規格 / 承認 No
	幅 1.4 mm
	自動車規格 AEC-Q101

30 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

ロジックレベル互換

超高速スイッチング

トレンチMOSFET技術

静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM

AEC-Q101認定

リレードライバ

高速ラインドライバ

ローサイド負荷スイッチ

スイッチング回路