Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 3.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, PMV55ENEAR

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梱包形態
RS品番:
151-3187
メーカー型番:
PMV55ENEAR
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

3.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

120mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

8.36W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.7nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

高さ

1mm

幅

1.4 mm

長さ

3mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

車載向けMOSFET: AEC-Q101認定のパワーMOSFETとして世界最大の品揃えを誇ります。Nexperiaは、車載システムの要件を知り尽くしたうえで技術を絞り込み、幅広い用途向けのパワー半導体を提供しています。シンプルな照明への給電から、エンジン、車体、シャーシ用途におけるパワー制御の高度なニーズまで、Nexperiaのパワー半導体は数多くの車載システムの電力問題への答えとなります。

AEC-Q101準拠

反復アバランシェ定格あり

定格175 °Cにより、熱的要求の厳しい用途に最適

60 V、NチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、小型SOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

論理レベル互換

超高速スイッチング

トレンチMOSFET技術

静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM

AEC-Q101認定

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