2 Nexperia トレンチMOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 260 mA, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, NX7002BKXBZ パッケージDFN
- RS品番:
- 153-1880
- メーカー型番:
- NX7002BKXBZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
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- RS品番:
- 153-1880
- メーカー型番:
- NX7002BKXBZ
- メーカー/ブランド名:
- Nexperia
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Nexperia | |
| プロダクトタイプ | トレンチMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 260mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| シリーズ | Trench MOSFET | |
| パッケージ型式 | DFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.7Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 1nC | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 4032mW | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 0.36mm | |
| 長さ | 1.15mm | |
| 幅 | 1.05 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Nexperia | ||
プロダクトタイプ トレンチMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 260mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
シリーズ Trench MOSFET | ||
パッケージ型式 DFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.7Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 1nC | ||
動作温度 Min 150°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 4032mW | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 0.36mm | ||
長さ 1.15mm | ||
幅 1.05 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
NチャネルMOSFET: 各種パッケージ入りの、40 → 60 V、ロジック及び標準レベルMOSFETです。多種多様なMOSFETデバイスポートフォリオの1つである、この堅牢で使いやすいMOSFETを、40 → 60 Vレンジでお試しください。スペースと電源が重視される用途に最適で、優れたスイッチング性能及びクラス最高の安全動作領域(SOA)が実現されています。
60 V、デュアルNチャネルMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のデュアルNチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010B-6 (SOT1216)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。
ロジックレベル互換
リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm
トレンチMOSFET技術
静電気放電(ESD)保護: >2 kV HBM
リレードライバ
高速ラインドライバ
ローサイド負荷スイッチ
スイッチング回路