2 Nexperia トレンチMOSFET デュアル, タイプPチャンネル, 500 mA, 表面 -20 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージDFN

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RS品番:
152-7150
メーカー型番:
PMDXB950UPELZ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

トレンチMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

500mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

-20V

シリーズ

Trench MOSFET

パッケージ型式

DFN

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

3.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

4025mW

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

1.19nC

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

-55°C

高さ

0.36mm

1.05 mm

長さ

1.15mm

規格 / 承認

No

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

なし

PチャネルMOSFET: Nチャネルが明らかに適さない設計に最適です。Nexperiaの各種MOSFET製品には、Nexperiaの業界をリードするトレンチ技術が採用されたPチャネルデバイスファミリが多数揃っています。定格12 → 70 V、ローパワー又はミディアムパワーパッケージ入りで、高い効率と信頼性を兼ね備えています。

20 V、デュアルPチャネルトレンチMOSFET: トレンチMOSFET技術採用のデュアルPチャネル拡張モード電界効果トランジスタ(FET)で、リードレス超小型DFN1010B-6 (SOT1216)表面実装デバイス(SMD)プラスチックパッケージ入りです。

低漏洩電流

トレンチMOSFET技術

リードレス超小型及び超薄型SMDプラスチックパッケージ: 1.1 x 1.0 x 0.37 mm

露出したドレインパッドにより、優れた熱伝導

静電気放電(ESD)保護: >1 kV HBM

ドレイン-ソース間オン状態抵抗: RDSon = 1.02 Ω

リレードライバ

高速ラインドライバ

ハイサイド負荷スイッチ

スイッチング回路

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