STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 165-5377
- メーカー型番:
- STD13N65M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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単価： 購入単位は2500 個
￥160.046
(税抜)
￥176.051
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ￥160.046 | ￥400,115.00 |
| 5000 - 22500 | ￥156.156 | ￥390,390.00 |
| 25000 - 35000 | ￥152.266 | ￥380,665.00 |
| 37500 - 47500 | ￥148.376 | ￥370,940.00 |
| 50000 + | ￥144.486 | ￥361,215.00 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 165-5377
- メーカー型番:
- STD13N65M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMDmesh™ M2シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。 低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 10 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | MDmesh M2 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 430 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 110 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| 幅 | 6.2mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 6.6mm |
| 順方向ダイオード電圧 | 1.6V |
| 高さ | 2.4mm |
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