STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル, 650 V, 7 A, 680 mΩ, 100 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 188-8286
- メーカー型番:
- STD11N65M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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| 5000 - 22500 | ￥148.929 | ￥372,323 |
| 25000 - 35000 | ￥147.135 | ￥367,838 |
| 37500 - 47500 | ￥145.383 | ￥363,458 |
| 50000 + | ￥143.673 | ￥359,183 |
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- RS品番:
- 188-8286
- メーカー型番:
- STD11N65M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 680mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 85W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 100nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 高さ | 2.17mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 680mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 85W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 100nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.6mm | ||
高さ 2.17mm | ||
自動車規格 なし | ||
これらのデバイスは、MDmesh M2技術を用いて開発されたNチャネル・パワーMOSFETである。ストリップ・レイアウトと改良された垂直構造により、これらのデバイスは低オン抵抗と最適化されたスイッチング特性を示し、最も要求の厳しい高効率コンバーターに適しています。
極めて低いゲート電荷
優れた出力キャパシタンス（COSS）プロファイル
ツェナー保護
用途
スイッチング・アプリケーション
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