Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 18 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC

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RS品番:
165-5716
メーカー型番:
IRF7842TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

2.5W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

33nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

高さ

1.5mm

長さ

5mm

幅

4 mm

自動車規格

なし

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流18A、最大許容損失2.5W - IRF7842TRPBF


このMOSFETは、さまざまな電子アプリケーションで高性能を発揮します。連続ドレイン電流18A、最大ドレイン・ソース間電圧40Vといった仕様で、電子機器の電力効率を高める。表面実装技術用に設計されたこのデバイスは、耐久性を保証し、エレクトロニクスとオートメーションの専門家に適しています。

特徴と利点


• 4.5Vでの低Rds(on)が効率を改善

• 高電流ハンドリングで電力供給を最適化

• 最小限のゲート電荷でスイッチング損失を低減

• 信頼性を高めるアバランチ規格

• Nチャンネル構成が制御アプリケーションで効果的な性能をサポート

用途


• ノートパソコン用プロセッサーの電源用同期MOSFET回路に使用

• 絶縁型DC-DCコンバータの二次同期整流として機能する。

• 非絶縁型DC-DCコンバータ設計における機能

この装置の最高使用温度は何度ですか？


150℃まで効率的に動作し、高温環境での信頼性を確保する。

このコンポーネントは、動作中に電流をどのように扱うのですか？


このデバイスは18Aの連続ドレイン電流をサポートし、様々な用途に適している。

高電圧回路に使用できますか？


ドレイン・ソース間電圧の最大定格は40Vで、高電圧アプリケーションに柔軟に対応できる。

熱抵抗の特性は？


ジャンクションから周囲への熱抵抗は通常50-55℃/W程度で、効果的な放熱を促進する。

このMOSFETは表面実装技術と互換性がありますか？


はい、表面実装用に特別に設計されたSOICパッケージで提供され、回路設計への統合が容易になります。

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