Infineon MOSFET, Nチャンネル, 60 V, 12 A, 9.4 mΩ, 26 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 165-5714
- メーカー型番:
- IRF7855TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 165-5714
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- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 12A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 9.4mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 最大許容損失Pd | 2.5W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 5mm | |
| 幅 | 4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 12A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 9.4mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 26nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
最大許容損失Pd 2.5W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 5mm | ||
幅 4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン HEXFET シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 60V、最大連続ドレイン電流 12A - IRF7855TRPBF
このMOSFETは、表面実装アセンブリにおけるスイッチングおよび電源管理用途向けに設計された大電流対応のNチャンネルトランジスタです。産業用途向けの幅広い温度範囲で動作し、低伝導損失と高速ゲート応答が必要な用途に適しています。このデバイスは、コンパクトな基板実装用の8ピンSOICパッケージで提供され、連続動作時に中程度の消費電力をサポートします。
特長：
• 60Vのドレイン定格により、中電圧システムでのスイッチングが可能
• 12Aの連続ドレイン電流により、高負荷電流をサポート
• 9.4mΩの低Rds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 26nCの標準ゲート負荷により、応答性の高いスイッチング制御を実現
• ゲート許容差20Vにより、柔軟な駆動電圧に対応
• 2.5Wの許容電力により、限られたスペースにおける熱負荷を管理
• 12Aの連続ドレイン電流により、高負荷電流をサポート
• 9.4mΩの低Rds(on)により、負荷時の導通損失を低減
• 26nCの標準ゲート負荷により、応答性の高いスイッチング制御を実現
• ゲート許容差20Vにより、柔軟な駆動電圧に対応
• 2.5Wの許容電力により、限られたスペースにおける熱負荷を管理
用途
• 産業用制御機器の電源レールに最適
• 大電流スイッチングが求められるモータ駆動に使用
• コンパクト電源のDC/DCコンバーターに最適
• 通信機器におけるロードスイッチに使用可能
• SOICパッケージが必要な表面実装設計に最適
• 大電流スイッチングが求められるモータ駆動に使用
• コンパクト電源のDC/DCコンバーターに最適
• 通信機器におけるロードスイッチに使用可能
• SOICパッケージが必要な表面実装設計に最適
動作中に、どの程度の温度範囲まで確実に耐えることができますか？
-55°C～150°Cで動作し、過酷な産業熱環境に対応します。
パッケージの種類は、基板配置の検討にどのような影響を及ぼしますか？
8ピンSOICフットプリントには、最大2.5Wの電力損失を効果的に消費するために、熱バイアスと銅面積に注意する必要があります。
高電流での導通効率を決定する電気的特性は何ですか？
このデバイスの最大ドレイン-ソース抵抗は9.4mΩで、主に持続電流流における導通損失を制御します。
効率的なスイッチングを実現するために、ゲートドライブの外形寸法はどのように設定すればよいですか？
標準的な26nC Qgに十分な充電を供給するゲートドライバ設計によりスイッチング速度とドライブエネルギーおよびEMIのバランスを取ることができます。
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