Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 6.5 A, 45 mΩ, 15 nC, 6ピン, パッケージ：Micro6

RS品番:: 165-5840
メーカー型番:: IRLMS2002TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 6.5 A, 45 mΩ, 15 nC, 6ピン, パッケージ：Micro6

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RS品番:: 165-5840
メーカー型番:: IRLMS2002TRPBF
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	N
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	20V
	パッケージ型式	Micro6
	シリーズ	HEXFET
	取付タイプ	表面
	ピン数	6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	45mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	15nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	-12V, +12V
	最大許容損失Pd	2W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	3mm
	規格 / 承認	No
	高さ	1.3mm
	幅	1.75mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプ N
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V
	パッケージ型式 Micro6
	シリーズ HEXFET
	取付タイプ表面
	ピン数 6
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 45mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC
	最大ゲートソース電圧Vgs -12V, +12V
	最大許容損失Pd 2W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 3mm
	規格 / 承認 No
	高さ 1.3mm
	幅 1.75mm
	自動車規格なし

RoHSステータス: 対象外

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流6.5A、最大許容損失2W - IRLMS2002TRPBF

このNチャネルMOSFETは、バッテリー管理および負荷管理アプリケーションで効果的な性能を発揮するように設計されています。高温耐性とともに低オン抵抗を提供するその能力は、多様な電子システムの効率的な動作に貢献する。最先端の加工技術を駆使したこの製品は、オートメーション、エレクトロニクス、電気分野のプロフェッショナルに最適です。

特徴と利点

• 表面実装設計により、PCBスペースの使用を最小化

• 低オン抵抗が電力効率を高める

• 最大6.5Aの連続ドレイン電流能力

• 柔軟な制御のために±12Vのゲート-ソース間電圧をサポート

• 効率的な熱性能で発熱を抑える

用途

• エネルギー配分を最適化するバッテリー管理

• 各種電子機器の負荷管理

• 自動車強力なパワーハンドリングが必要

• 高効率電源システム

• エネルギー調整のための再生可能エネルギーシステム

高温での最大連続ドレイン電流は？

温度70℃では、指定された条件下で安定性を維持しながら、連続ドレイン電流5.2Aを達成することができる。

効果的な性能を発揮するための熱抵抗は？

最大接合部対周囲熱抵抗は62.5℃/Wで、動作中の効果的な放熱を保証する。

設置時に最適なパフォーマンスを確保するには？

最適なパフォーマンスを実現するには、適切な熱管理とPCBレイアウトの慎重な検討が不可欠であり、効率的な放熱と信頼性を可能にする。

故障の危険なしに印加できる電圧は？

ドレイン・ソース間電圧の最大値は20Vで、動作中の不要なブレークダウンを防ぐためのクリティカル・スレッショルドとして機能する。

考慮すべき特定の温度ディレーティング係数はありますか？

はい、線形ディレーティング係数は0.016W/℃であり、信頼性を維持するためには周囲温度に応じて電力損失を調整する必要があることを示しています。