Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 55 V, 110 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 165-5890
- メーカー型番:
- IRF3205STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 4000 - 7200 | ￥109.753 | ￥87,802 |
| 8000 - 19200 | ￥107.559 | ￥86,047 |
| 20000 - 39200 | ￥105.405 | ￥84,324 |
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- RS品番:
- 165-5890
- メーカー型番:
- IRF3205STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 110A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 55V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 146nC | |
| 最大許容損失Pd | 200W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 110A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 55V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 146nC | ||
最大許容損失Pd 200W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.67mm | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン NチャンネルパワーMOSFET 55 V
インフィニオンのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は、Nチャンネルデバイスが表面実装とリード付きパッケージに収容さています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できる形状になっています。抵抗範囲全体のベンチマークにおいて導電損失を低下させ、最大限のシステム効率を実現します。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
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