Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 55 V, 70 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
124-8782
メーカー型番:
IRF4905STRLPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

70A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

55V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

HEXFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

120nC

順方向電圧 Vf

-1.3V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

170W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

幅

9.65 mm

高さ

4.83mm

長さ

10.67mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
KR

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流70A、最大消費電力170W - IRF4905STRLPBF


この大電流MOSFETは、オートメーションやエレクトロニクスの様々な用途に適しています。最大連続ドレイン電流は70Aで、ドレイン・ソース間電圧は55Vまで動作する。エンハンスメント・モード構成は性能要件を満たし、低RDS(on)はエネルギー効率を最大化する。大電力アプリケーション用に設計されたこのMOSFETは、熱安定性を備えており、厳しい動作条件に適しています。

特徴と利点


• 低オン抵抗値によるシステム効率の向上

• 55°C～+150°Cの温度範囲で効果的に機能。

• 高速スイッチング・スピードに対応し、パフォーマンスを向上

• 繰り返しの雪崩に対応する堅牢な設計

• 表面実装に適したD2PAK TO-263パッケージで提供

用途


• パワーマネージメントシステムやコンバーターに使用

• 運動制御に適している 高効率が必要

• スイッチング電源に統合して性能を強化

• 信頼性の高い制御を必要とする自動車環境に適用

• 大きなパワーハンドリングを必要とする産業オートメーションに採用

この装置が動作可能な最高温度は？


デバイスの最高動作温度は+150℃であり、さまざまな環境条件下での安定性を確保している。

低RDS(on)は回路設計にどのようなメリットをもたらすのでしょうか？


低RDS(on)は伝導損失を最小限に抑え、回路全体の効率を高め、より低温での動作を可能にする。

この部品はパルス電流に対応できますか？


そう、最大280Aのパルスドレイン電流を管理できるため、ダイナミック・アプリケーションに適している。

適合する駆動電圧を選択するための重要なパラメーターは何ですか？


損傷のリスクなしに効果的な動作を保証するには、ゲート・ソース間電圧を-20Vから+20Vの範囲内に保つ必要がある。

高周波スイッチング・アプリケーションに適していますか？


このデバイスは高速スイッチング用に設計されており、電子回路の高周波動作機能に適している。

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