Infineon MOSFET, Nチャンネル, 75 V, 30 A, 26 mΩ, 56 nC, 3ピン, パッケージ：TO-252
- RS品番:
- 165-5971
- メーカー型番:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 5000 - 22500 | ￥177.73 | ￥444,325 |
| 25000 - 35000 | ￥175.837 | ￥439,593 |
| 37500 - 47500 | ￥173.946 | ￥434,865 |
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- RS品番:
- 165-5971
- メーカー型番:
- IPD30N08S2L21ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 30A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | OptiMOS | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 26mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 56nC | |
| 最大許容損失Pd | 136W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 6.22mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 高さ | 2.41mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 30A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ OptiMOS | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 26mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 56nC | ||
最大許容損失Pd 136W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 6.22mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 6.73mm | ||
高さ 2.41mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
RoHSステータス: 該当なし
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン OptiMOS シリーズ MOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧 75V、最大連続ドレイン電流 30A - IPD30N08S2L21ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システム向けに設計された電源スイッチングトランジスタで、Nチャンネルエンハンスメントモード構成でドレインとソース間の制御された伝導を実現します。コンパクトな電源設計の表面実装組立用で、高い動作温度と自動車グレード認定が必要な用途向けに設計されています。
特長：
• 75Vのドレイン電圧により、堅牢な高電圧スイッチングを実現
• 30Aの連続電流で、大きな負荷供給をサポート
• 26mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 136Wの放散容量により、設計における熱マージンをサポート
• 56nC標準ゲート電荷により、スイッチング速度制御を向上
• ±20Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ方式に対応
• 30Aの連続電流で、大きな負荷供給をサポート
• 26mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 136Wの放散容量により、設計における熱マージンをサポート
• 56nC標準ゲート電荷により、スイッチング速度制御を向上
• ±20Vのゲート許容差により、柔軟なゲートドライブ方式に対応
用途
• 車載用DC-DCコンバーター段階に最適
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブインバータフロントエンド回路で使用
• 高効率ポイントオブロードコンバータに使用可能
• 自動車の基板レベル電源管理に最適
• 電源回路の同期整流に最適
• モータードライブインバータフロントエンド回路で使用
• 高効率ポイントオブロードコンバータに使用可能
• 自動車の基板レベル電源管理に最適
基板配置では、どのような包装タイプを想定する必要がありますか？
このデバイスは表面実装用のTO-252パッケージで提供され、ランドパターンとサーマルパッド設計に影響があります。
このデバイスは、過酷な環境条件にどのように対応しますか？
-55°C～175°Cの広い温度範囲で動作し、高温環境に適合します。
制御回路において、ゲートドライブに関するどのような点を考慮すべきですか？
最大ゲート-ソース定格：±20V
ゲートドライブ回路はこの範囲内での移動を制限し、ドライバのサイズ変更時に56nCの標準ゲート電荷を考慮する必要があります。
予定される特定の熱性能制限はありますか？
最大許容電力は136Wで、ジャンクション制限を維持するために、熱管理能力は導通経路と基板レベルのヒートシンクを考慮する必要があります。
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