STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計：*

￥96,921.00

(税抜)

￥106,613.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,000 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
1000 - 4000￥96.921￥96,921
5000 - 9000￥95.044￥95,044
10000 - 24000￥93.166￥93,166
25000 - 49000￥91.289￥91,289
50000 +￥89.412￥89,412

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-7788
メーカー型番:
STB30NF10T4
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

STripFET II

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

40nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

115W

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

幅

9.35 mm

高さ

4.6mm

長さ

10.4mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
MY

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics


広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ