STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET710 V 35 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 168-7612
- メーカー型番:
- STB45N65M5
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- STB45N65M5
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その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
STMicroelectronics N チャンネル MDmesh ™ M5 シリーズ
MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 35 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 710 V |
| シリーズ | MDmesh M5 |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 78 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 210 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -25 V, +25 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 10.4mm |
| 幅 | 9.35mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 82 nC @ 10 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 高さ | 4.6mm |
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