STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 1 kV, 2.2 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 165-8050
- メーカー型番:
- STD4NK100Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | ¥206.94 | ¥517,350 |
| 5000 - 22500 | ¥203.897 | ¥509,743 |
| 25000 - 35000 | ¥200.854 | ¥502,135 |
| 37500 - 47500 | ¥197.811 | ¥494,528 |
| 50000 + | ¥194.768 | ¥486,920 |
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- RS品番:
- 165-8050
- メーカー型番:
- STD4NK100Z
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 2.2A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1kV | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 6.8Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 18nC | |
| 最大許容損失Pd | 90W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 6.2 mm | |
| 長さ | 6.6mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 2.2A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1kV | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 6.8Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 18nC | ||
最大許容損失Pd 90W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 2.4mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 6.2 mm | ||
長さ 6.6mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
STMicroelectronics N チャネル MDmesh ™ SuperMESH ™ 700 V → 1200 V
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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