STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 2.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- RS品番:
- 168-6687
- メーカー型番:
- STD3NK50ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
3730 海外在庫あり - 通常4営業日でお届け
単価： 購入単位は2500 個
￥51.794
(税抜)
￥56.973
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | ￥51.794 | ￥129,485.00 |
| 12500 - 22500 | ￥50.759 | ￥126,897.50 |
| 25000 - 60000 | ￥49.743 | ￥124,357.50 |
| 62500 - 122500 | ￥48.749 | ￥121,872.50 |
| 125000 + | ￥47.773 | ￥119,432.50 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 168-6687
- メーカー型番:
- STD3NK50ZT4
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
その他
- COO（原産国）:
- MY
詳細情報
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.3 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 500 V |
| パッケージタイプ | DPAK (TO-252) |
| シリーズ | MDmesh, SuperMESH |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 3.3 Ω |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4.5V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 3V |
| 最大パワー消費 | 45 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 6.2mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 6.6mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| 高さ | 2.4mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 2.3 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET25 V 80 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 6 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 11 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
- STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET200 V 18 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン