Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 64 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

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RS品番:
165-8068
メーカー型番:
IPB200N25N3GATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

64A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

250V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

OptiMOS 3

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

20mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

64nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

300W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

高さ

4.57mm

長さ

10.31mm

規格 / 承認

No

幅

9.45 mm

自動車規格

なし

RoHSステータス: 該当なし

COO（原産国）:
CN

インフィニオンOptiMOS™ 3シリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流64A、最大消費電力300W - IPB200N25N3GATMA1


このNチャネルMOSFETは、様々な電子アプリケーションにおける効率的なパワーマネージメント用に設計されており、最大連続ドレイン電流64A、定格電圧250Vを特長としています。その堅牢な熱性能と低いオン抵抗は、広い温度範囲にわたって効果的な電気的性能に貢献し、高周波スイッチングや同期整流に適しています。

特徴と利点


• 最適なゲート電荷xRDS(on)積が効率を高める

• 低オン抵抗で動作中の電力損失を最小化

• 175℃までの動作温度で多様なアプリケーションに対応

• 環境に配慮したRoHS指令およびハロゲンフリー規格に準拠

• コンパクトなD2PAK設計と表面実装によりインテグレーションが容易

• ターゲット・アプリケーションの信頼性に関してJEDECの認定を取得

用途


• オートメーションシステム用電源に使用

• 再生可能エネルギーの高効率コンバーターに最適

• 産業機械のモーター制御に採用

• デスクトップ電源の同期整流に最適

• 効果的なエネルギー管理のために電気自動車に適用

設置時に最適なパフォーマンスを確保するために、どのような対策を取るべきでしょうか？


効果的な熱管理システムを維持して熱を放散させ、デバイスが指定された温度制限内で動作するようにすることが重要である。

このコンポーネントは、高速スイッチングを必要とするアプリケーションに使用できますか？


その高速スイッチング能力により、DC-DCコンバーターやドライバーなどの高周波アプリケーションに適しています。

最適に使用するために推奨される特定の回路設計はありますか？


適切なゲート・ドライバ回路は、特にターンオン時間とターンオフ時間の点で性能を向上させ、スイッチング損失の低減に役立つ。

運転中の環境条件について考慮すべきことは？


熱劣化を防ぐため、温度が動作限界である-55℃～+175℃の範囲内に保たれるような環境に置かれるようにしてください。

このMOSFETの高負荷条件下での性能は？


低オン抵抗を維持しながら64Aの連続ドレイン電流を効率的に処理するため、過熱を抑え、負荷時の信頼性を向上させる。

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