Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 25 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 124-8755
- メーカー型番:
- IPB600N25N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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| 1000 - 1000 | ￥238.461 | ￥238,461.00 |
| 2000 - 9000 | ￥233.692 | ￥233,692.00 |
| 10000 - 14000 | ￥229.019 | ￥229,019.00 |
| 15000 - 19000 | ￥224.439 | ￥224,439.00 |
| 20000 + | ￥219.95 | ￥219,950.00 |
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- RS品番:
- 124-8755
- メーカー型番:
- IPB600N25N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
Infineon OptiMOS™3パワーMOSFET、100 V以上
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 25 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 250 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| シリーズ | OptiMOS™ 3 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 60 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 136 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +175 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 幅 | 9.45mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 長さ | 10.31mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 4.57mm |
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