Infineon MOSFET, Nチャンネル, 250 V, 25 A, 60 mΩ, 22 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 124-8755
- メーカー型番:
- IPB600N25N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 124-8755
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- IPB600N25N3GATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 25A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 250V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | OptiMOS 3 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 60mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 136W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 22nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 幅 | 9.45mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.31mm | |
| 高さ | 4.57mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 25A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ OptiMOS 3 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 60mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 136W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 22nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
幅 9.45mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.31mm | ||
高さ 4.57mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
インフィニオン OptiMOS 3シリーズMOSFET、ドレイン-ソース間電圧 250V、連続ドレイン電流 25A - IPB600N25N3GATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムでの電力変換およびスイッチング用途向けに設計された高電圧Nチャネルスイッチングトランジスタです。非常に広い温度範囲で動作し、表面実装に対応した小型フットプリントを備えているため、大電力への対応とゲート制御が求められる実装環境での熱管理に適しています。
特長:
• ドレイン-ソース間定格電圧 250V により、高電圧スイッチングに対応
• オン抵抗 60mΩ により導通損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 25A により高負荷での連続動作に対応
• 許容損失 136W により回路内の大きな熱負荷に対応
• ゲート電荷 22nC により予測可能なスイッチングエネルギーと駆動設計が可能
• ゲート-ソース間電圧上限 20V により標準的なゲート駆動電圧マージンを確保
• オン抵抗 60mΩ により導通損失を低減し、効率を向上
• 連続ドレイン電流 25A により高負荷での連続動作に対応
• 許容損失 136W により回路内の大きな熱負荷に対応
• ゲート電荷 22nC により予測可能なスイッチングエネルギーと駆動設計が可能
• ゲート-ソース間電圧上限 20V により標準的なゲート駆動電圧マージンを確保
用途
• 高電圧SMPSの一次側スイッチング段に最適
• 産業用モータ駆動インバータレッグに最適
• 通信用電源システムのDC-DCコンバータに使用
• バッテリ管理および充電器回路構成に使用可能
• 表面実装基板の汎用電力スイッチングに使用
• 産業用モータ駆動インバータレッグに最適
• 通信用電源システムのDC-DCコンバータに使用
• バッテリ管理および充電器回路構成に使用可能
• 表面実装基板の汎用電力スイッチングに使用
動作時にどの程度の温度範囲に耐えられますか？
-55°C～175°C で動作し、温度変化の激しい環境でも使用できます。
実装と熱伝達を容易にするパッケージタイプは何ですか？
TO-263表面実装パッケージを採用しており、はんだ付けが容易で、抵抗器の熱を拡散するための大型サーマルパッドを備えています。
ゲート駆動設計では、このデバイスのどのような特性を考慮する必要がありますか？
標準ゲート電荷 22nC により、ゲートドライバの駆動能力の決定やスイッチング損失の算出に必要なスイッチングエネルギーを見積もることができます。
負荷時にはどのような導通性能が得られますか？
最大ドレイン-ソース間抵抗は 60mΩ と規定されており、定格連続電流 25A までの電流経路における導通損失を算出できます。
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