STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール1000個入り) 小計:*

¥156,250.00

(税抜)

¥171,880.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,000 2026年2月09日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
1000 - 4000¥156.25¥156,250
5000 - 9000¥153.952¥153,952
10000 - 24000¥151.654¥151,654
25000 - 49000¥149.357¥149,357
50000 +¥147.059¥147,059

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
165-8231
メーカー型番:
STB100N6F7
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

STripFET F7

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

12.6nC

動作温度 Max

175°C

9.35 mm

高さ

4.6mm

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

NチャンネルSTripFET™ F7シリーズ、STMicroelectronics


STMicroelectronics STripFET™ F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。

MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics


関連ページ